삼성전자, HBM4 양산 출하 개시…세계 최초·최고 성능으로 ‘AI 메모리 주도권’ 재도전

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삼성전자, HBM4 양산 출하 개시…세계 최초·최고 성능으로 ‘AI 메모리 주도권’ 재도전

삼성전자가 AI 산업의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 6세대 제품 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 밝혔습니다. 이전 세대 경쟁에서 뒤처졌다는 평가가 나왔던 상황에서, 이번에는 출하 시점 자체를 앞당기며 “차세대 시장 선점” 의지를 분명히 한 모양새입니다.

삼성전자 HBM4[삼성전자 제공]

삼성전자 HBM4 양산 출하 시작[삼성전자 제공]

핵심만 먼저 보기 ✅

• 세계 최초 양산 출하 : HBM 6세대 ‘HBM4’ 본격 공급 시작
• 속도 : JEDEC 표준(8Gbps) 대비 약 46% 상회한 11.7Gbps 안정 확보, 최대 13Gbps 구현 가능
• 대역폭 : 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s 수준(전작 대비 약 2.7배 향상)
• 용량 : 12단 적층으로 24~36GB 제공, 16단 적용 시 최대 48GB 확장 계획
• 전력/발열 : 에너지 효율 약 40% 개선, 열 저항 10%·방열 30% 개선
• 로드맵 : 올 하반기 HBM4E 샘플, 내년 커스텀 HBM 샘플링 예고

1) 왜 HBM4가 중요한가: AI 시대 ‘데이터 병목’의 해답

AI 모델이 커질수록 학습·추론 과정에서 처리해야 할 데이터 양은 폭발적으로 늘어납니다. 문제는 연산 능력만 빠르다고 해결되지 않는다는 점입니다. GPU/가속기가 아무리 빨라도 메모리가 데이터를 제때 공급하지 못하면 전체 성능은 병목에 걸립니다. HBM은 바로 이 병목을 줄이기 위해 등장한 메모리로, 고대역폭·고속 전송을 통해 대규모 AI 연산 환경에서 핵심 부품으로 자리 잡았습니다.

삼성전자가 이번에 강조한 부분도 “성능 상향 요구를 적기에 충족”하는 능력입니다. 즉 HBM4는 단순 신제품이 아니라, 초대형 AI 인프라가 요구하는 속도·대역폭·전력 효율을 동시에 끌어올려 차세대 플랫폼 경쟁에서 유리한 고지를 만들겠다는 메시지로 읽힙니다.

2) ‘표준을 넘겠다’는 전략: 최선단 공정 1c D램 + 4나노 베이스 다이

삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 국제 표준(JEDEC)을 상회하는 성능을 목표로 잡았다고 밝혔습니다. 이를 위해 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입하고, 재설계 없이 양산 초기부터 최고 수준 성능을 확보했다는 설명입니다. 또한 HBM 적층 구조 하단에서 전력·신호를 제어하는 기반 칩(베이스 다이)에 4나노 공정을 적용해 성능과 전력 효율 측면에서 이점을 노렸습니다.

여기서 포인트는 “공정”과 “설계”가 함께 움직였다는 점입니다. HBM은 단순 메모리 칩의 문제가 아니라, 적층 구조와 인터페이스, 패키징까지 연동되는 종합 시스템에 가깝습니다. 삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 원스톱 역량을 강조하며 HBM 개발을 지속하겠다고 밝혔는데, 이는 향후 고객 맞춤형 제품(커스텀 HBM) 확장까지 염두에 둔 포석으로 해석됩니다.

HBM4 핵심 스펙(기사 기준) 📌

항목	내용	의미
동작 속도	11.7Gbps 안정 확보(최대 13Gbps 가능)	AI 데이터 병목 완화 기대
표준 대비	JEDEC 8Gbps 대비 약 46% 상회	‘표준 상회’ 목표 달성 강조
대역폭	단일 스택 최대 3.3TB/s 수준	전작 대비 약 2.7배 향상 언급
적층/용량	12단 24~36GB, 16단 최대 48GB 계획	고용량 AI 모델 대응
전력/열	에너지 효율 약 40% 개선, 열 저항 10%·방열 30% 개선	데이터센터 전력·냉각 비용 절감 기대

※ 수치는 기사에 제시된 성능 설명을 블로그용으로 재정리한 것입니다.

3) 전력 효율과 발열 개선이 중요한 이유: “성능만큼 운영비가 경쟁력”

AI 서버·데이터센터에서 비용을 갈라놓는 건 단지 칩 가격만이 아닙니다. 전력 소모와 냉각 비용, 그리고 운영 안정성이 장기적으로 더 큰 변수가 됩니다. 삼성전자는 HBM4에 저전력 설계 기술을 적용해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했다고 밝혔고, 열 저항 특성 10%, 방열 특성 30% 개선을 언급했습니다.

쉽게 말해 “더 빠른데 덜 뜨겁고 덜 먹는다”는 방향입니다. HBM은 고속으로 데이터를 주고받는 만큼 전력과 열이 집중되기 쉬워, 발열 관리가 곧 수율과 안정성, 그리고 고객사 탑재 확대로 직결됩니다. 특히 AI 연산 성능을 극대화하려면 메모리가 장시간 최대 부하를 버텨야 하므로, 전력·열 개선은 단순 옵션이 아니라 필수 경쟁력입니다. 🔥➡️🌿

4) 공급 전략: 원스톱 협업 + 하반기/내년 차세대 라인업 가동

삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 갖춘 “원스톱 설루션”을 강점으로 내세웠습니다. 실제로 HBM은 메모리 단품 경쟁을 넘어, 패키징(적층/연결)과 파운드리(베이스 다이/인터페이스)까지 종합적으로 맞물리는 영역이어서 내부 협업 속도와 품질 관리가 고객사 대응력으로 이어집니다.

또 하나의 포인트는 라인업의 연속성입니다. 삼성전자는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하, 내년에는 고객사 요구에 맞춘 커스텀 HBM 샘플링을 예고했습니다. 즉 HBM4로 “출하를 시작”한 데서 끝나는 것이 아니라, 곧바로 다음 세대로 이어지는 로드맵을 시장에 제시해 하이퍼스케일러와 GPU/ASIC 고객사 협력을 확대하겠다는 그림입니다. 📦➡️📈

5) 이번 출하의 의미: ‘기술 타이틀’이 아니라 ‘시장 선점’ 경쟁의 신호탄

삼성전자는 이번 HBM4 양산 출하를 “세계 최초”로 강조했습니다. 이 표현은 단순 홍보 문구가 아니라, AI 시장에서 고객사 탑재 일정이 촘촘해지는 상황에서 “공급 타이밍”이 곧 시장 점유율로 이어질 수 있음을 시사합니다. 기사에서는 고객사와 협의를 통해 출하 일정을 1주일가량 앞당겼다는 설명도 포함돼, 일정 주도권을 잡겠다는 의지가 함께 드러납니다.

결국 관전 포인트는 두 가지입니다. 첫째, HBM4의 초기 공급이 고객사의 실제 제품에 얼마나 빠르게 적용되는지, 둘째, 이 과정에서 품질·수율·안정적 공급 역량을 얼마나 꾸준히 증명하는지입니다. 삼성전자가 “HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성”을 향후 HBM4E·커스텀 HBM으로 이어갈 경쟁 요소로 언급한 것도 같은 맥락입니다.

정리 한 줄 ✅

삼성전자의 HBM4 양산 출하는 “속도·대역폭·전력 효율”을 동시에 끌어올려 AI 메모리 경쟁의 다음 라운드를 선점하겠다는 선언에 가깝습니다. 하반기 HBM4E, 내년 커스텀 HBM까지 로드맵이 이어지는 만큼, 실제 고객사 탑재 확산 속도가 성패를 가를 핵심 지표가 될 전망입니다.

삼성전자 HBM4[삼성전자 제공]

 

※ 본문은 제공된 기사 내용(2026.02.12 공개)을 바탕으로 블로그용 해설형 문단으로 재구성했습니다.

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